High Current Flat Wire Power Inductor

Modell:HCIB Seires

High Current Flat Wire Power Inductor

1.Hoher Sättigungsstrom bis zu 78A 2.Extrem niedriger DCR mit Toleranz von 10% 3.Betriebstemperatur: -40°C bis +125 °C 4.Flachdrahtkonstruktion 5.Stromleitungsanwendung
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1 . Hoher Sättigungsstrom bis 80A
2 . Extrem niedriger DCR mit Toleranz 7%
3 . Betriebstemperatur:-40 °C bis +125 °C
4 . Cross to Würth HCM-Serie.

Merkmale:

Die HCIB-Serie wurde speziell für die Kreuzung mit der Würth HCM-Serie entwickelt. SMT-Flachdraht-Hochstrominduktivitäten der HCIB-Serie zeichnen sich durch hohe Sättigungsströme und einen geringen Stromverbrauch aus. Der Betriebstemperaturbereich beträgt 40 ℃ bis + 125 ℃. Der Sättigungsstrom beträgt bis zu 78A oder höher. Der DCR ist mit einer Toleranz von 10 % extrem niedrig. Die HCIB-Serie besteht aus einem magnetisch abgeschirmten Mn-Zn-Kernmaterial, das das elektromagnetische Feld reduziert.

Ultra-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Größe (mm):
100807

100808

Ap dung:
1.Mehrphasen-Schaltregler
2.CPU/RAM-Stromversorgung
3.Power-PC
4.Filter

High Current Inductor

Dimensions in mm

Part No. A B C D E G H I
HCIB100807 10.2±0.30 7.7±0.30 6.8 ±0.30 2.54 Typ. 2.24 Typ. 2.5 Typ. 3.3 Ref. 4.7 Ref.
HCIB100808 10.2±0.30 7.7±0.30 7.2 ±0.30 2.54 Typ. 2.24 Typ. 2.5 Typ. 3.3 Ref. 4.7 Ref. 

 

Part No. Inductance Irms (A) Isat (A) DCR (mΩ) Test Frequuency
(nH) Typ. Typ.
HCIB100807TS-R15M 150±20% 56 70 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100807TS-R18M 180±20% 56 55 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100807TS-R22M  220±20% 56 50 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100807TS-R30M  300±20% 56 32 0.29±10%  100KHz/1V
HCIB100807TS-R40M  400±20% 56 26 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100808TS-R12M 120±20% 56 78 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100808TS-R15M 150±20% 56 72 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100808TS-R17M 170±20% 56 62 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100808TS-R20M 200±20% 56 48 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100808TS-R23M 230±20% 56 43 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100808TS-R27M 270±20% 56 37 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100808TS-R30M 300±20% 56 32 0.29±10% 100KHz/1V

 

Ultra-Hochstrom-Leistungsinduktivität