High Current Flat Wire Power Inductor

モデル:HCIB Seires

High Current Flat Wire Power Inductor

1.最大78Aの高飽和電流
2.許容誤差10%の非常に低いDCR
3.動作温度:-40°C〜 + 125°C
4.フラットワイヤー構造
5.電力線アプリケーション

応用:
1.多相スイッチングレギュレータ
2.CPU / RAM電源
3.Power PC
4.フィルター
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HCIBシリーズは、WurthHCMシリーズと交差するように特別に設計されています。 HCIBシリーズSMTフラットワイヤ大電流インダクタは、高飽和電流と低消費電力を特長としています。 動作温度範囲は40℃〜+ 125℃です。 飽和電流は最大78A以上です。 DCRは非常に低く、許容誤差は10%です。 HCIBシリーズは、電磁場を低減する磁気シールドを備えたMn-Znコア材料です。

サイズ (mm):
100807

100808

特徴:
1.最大78Aの高飽和電流
2.許容誤差10%の非常に低いDCR
3.動作温度:-40°C〜 + 125°C

応用:
1.多相スイッチングレギュレータ
2.CPU / RAM電源
3.Power PC
4.フィルター

High Current Inductor

Dimensions in mm

Part No. A B C D E G H I
HCIB100807 10.2±0.30 7.7±0.30 6.8 ±0.30 2.54 Typ. 2.24 Typ. 2.5 Typ. 3.3 Ref. 4.7 Ref.
HCIB100808 10.2±0.30 7.7±0.30 7.2 ±0.30 2.54 Typ. 2.24 Typ. 2.5 Typ. 3.3 Ref. 4.7 Ref. 

 

Part No. Inductance Irms (A) Isat (A) DCR (mΩ) Test Frequuency
(nH) Typ. Typ.
HCIB100807TS-R15M 150±20% 56 70 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100807TS-R18M 180±20% 56 55 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100807TS-R22M  220±20% 56 50 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100807TS-R30M  300±20% 56 32 0.29±10%  100KHz/1V
HCIB100807TS-R40M  400±20% 56 26 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100808TS-R12M 120±20% 56 78 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100808TS-R15M 150±20% 56 72 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100808TS-R17M 170±20% 56 62 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100808TS-R20M 200±20% 56 48 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100808TS-R23M 230±20% 56 43 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100808TS-R27M 270±20% 56 37 0.29±10% 100KHz/1V
HCIB100808TS-R30M 300±20% 56 32 0.29±10% 100KHz/1V

 

Ultra High Current Power Inductor